英飞凌科技公司（Infineon Technologies AG）继宣布推出全球首块 300 毫米氮化镓（GaN）功率晶圆和在马来西亚库林（Kulim）建成全球最大的 200 毫米碳化硅（SiC）功率晶圆厂之后，又揭开了半导体制造技术的新篇章。 其在处理和加工有史以来最薄的硅功率晶圆方面取得了突破性进展，这种晶圆的厚度仅为 20微米，直径为 300 毫米。

英飞凌科技公司首席执行官约亨-哈内贝克（Jochen Hanebeck）说："世界上最薄的硅晶片证明了我们致力于通过推动功率半导体技术的发展，为客户提供卓越的价值。英飞凌在超薄晶圆技术方面的突破标志着我们在高能效电源解决方案领域迈出了重要一步，有助于我们充分利用全球去碳化和数字化趋势的全部潜力。 通过这一技术杰作，tp钱包官网下载我们掌握了所有三种相关半导体材料，从而巩固了我们作为行业创新领导者的地位。这项创新将大大有助于提高人工智能数据中心以及消费、电机控制和计算应用的电源转换解决方案的能效、功率密度和可靠性。 与基于传统硅晶片的解决方案相比，晶片厚度减半可将晶片的基板电阻降低 50%，从而将电源系统中的功率损耗降低 15% 以上。 对于高端人工智能服务器应用而言，更高的电流水平驱动着日益增长的能源需求，这一点在电源转换中尤为重要。"